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本發(fā)明涉及一種非易失性存儲器。該存儲器為頂柵型晶體管結(jié)構(gòu)或底柵型晶體管結(jié)構(gòu)；存儲器包括柵極、絕緣層、電荷存儲層、源/漏極及半導(dǎo)體層；其中，電荷存儲層中離散分布有半導(dǎo)體核殼納米晶結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體核殼納米晶結(jié)構(gòu)與該半導(dǎo)體層直接接觸，電荷存儲層設(shè)置為依據(jù)施加至所述柵極的電壓極性不同實現(xiàn)電子和/或空穴的存儲。本申請由于電荷存儲層中離散分布有半導(dǎo)體核殼納米晶結(jié)構(gòu)，同時該半導(dǎo)體核殼納米晶結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體層直接接觸，使得本申請的電荷存儲層在俘獲電荷時，電荷不需再經(jīng)過一層絕緣層，即可快速且無損的到達電荷存儲層。經(jīng)驗證，本申請的存儲器件具有更快的擦寫速度，信息擦寫所用時間為≤50ns；具有更好的耐擦寫性，耐擦寫次數(shù)≥105次。

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