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本發(fā)明公開了一種閃存器件及其制備方法，所述閃存器件包括：基底；柵極，位于所述基底上方；絕緣層，位于所述柵極上方；浮柵層，位于所述絕緣層上方；隧穿層，位于所述浮柵層上方；半導(dǎo)體層，位于所述隧穿層上方；以及源極和漏極，分別位于所述半導(dǎo)體層頂部?jī)啥耍黄渲?，所述源極和漏極包括具有金字塔微結(jié)構(gòu)的聚合物薄膜和位于聚合物薄膜上的金屬電極。壓力信號(hào)通過具有形變空間的具有金字塔微結(jié)構(gòu)的聚合物薄膜以實(shí)現(xiàn)在施加不同壓力的條件下，達(dá)到神經(jīng)突觸的權(quán)重不同，從而能夠?qū)毫鞲衅髋c閃存集成于一體，用于對(duì)神經(jīng)突觸的模擬。

計(jì)算控制>存儲(chǔ)設(shè)備>閃存裝置