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本發(fā)明公開了一種多級阻變存儲器及制備方法，其中，多級阻變存儲器從下至上包括：剛性基底、底電極、ZnSe/ZnS核殼量子點阻變層、頂電極。本發(fā)明采用ZnSe/ZnS核殼量子點薄膜單獨作為阻變層，ZnSe和ZnS的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)和最低未占分子軌道(LUMO)的能量存在一定的差異，因此在兩端施加偏壓時需要克服兩次不同能量大小的肖特基結(jié)勢壘，使得基于核殼結(jié)構(gòu)的ZnSe/ZnS量子點的阻變存儲器具有多個組態(tài)，本發(fā)明的多級阻變存儲器具有高存儲密度、高穩(wěn)定性、低功耗且適于高度集成等優(yōu)點，具有良好的應用前景，能廣泛應用于生活中多個領(lǐng)域。

方法過程>其它方法過程>高度集成; 計算控制>存儲器>多電平可變電阻存儲器