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本發(fā)明公開(kāi)一種光控神經(jīng)突觸仿生電子器件及其制備方法，其中，所述器件包括作為柵極的硅基底，從下至上依次設(shè)置在所述硅基底上的氧化物層、量子點(diǎn)層、聚合物層、半導(dǎo)體層以及金屬薄膜頂電極，所述量子點(diǎn)層的材料為CsPbCl3、CsPbBr3和CsPbI3中的一種或多種。由于CsPbX3量子點(diǎn)具有光響應(yīng)性，通過(guò)簡(jiǎn)單的調(diào)節(jié)光照波長(zhǎng)來(lái)改變電子器件中的光生電流數(shù)值，進(jìn)而可模擬人腦中興奮性突觸后電流增強(qiáng)效應(yīng)，結(jié)合反向電場(chǎng)刺激可實(shí)現(xiàn)對(duì)抑制性突觸后電流減弱效應(yīng)。因此，本發(fā)明基于CsPbX3量子點(diǎn)的神經(jīng)突觸仿生電子器件具有易調(diào)控、低功耗、高穩(wěn)定性等性能優(yōu)點(diǎn)。

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