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本發(fā)明公開了近紅外光增強的ZnO基晶體管型存儲器及其制備方法，從上至下依次包括：源漏電極、半導體層、隧穿層、浮柵層、阻擋層、柵極和基底；其中，所述半導體層由ZnO制成，所述浮柵層由上轉(zhuǎn)換熒光納米顆粒制成。本發(fā)明利用上轉(zhuǎn)換熒光納米顆粒在近紅外光作用下發(fā)出紫外光，ZnO半導體吸收紫外光產(chǎn)生載流子，在電場作用下，產(chǎn)生的載流子被捕獲在浮柵層中。在這個過程中，近紅外光間接增加了可被捕獲的載流子數(shù)目，有效增強了存儲器存儲窗口并且實現(xiàn)了多比特存儲。同時，本發(fā)明利用價格低廉的ZnO作為存儲器半導體層，顯著降低了存儲器價格。相比傳統(tǒng)晶體管型存儲器，本發(fā)明所述的存儲器不僅性能可以明顯提高，成本也顯著降低。

方法過程>制備方法>制備; 方法過程>增強方法>近紅外光增強; 計算控制>存儲器>氧化鋅基晶體管存儲器