成果介紹
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體影像傳感器,在其像素陣列內(nèi)部中的除光電二極管(D1)的光敏感區(qū)域以外的位置上,罩有由不透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的遮光結(jié)構(gòu);所述遮光結(jié)構(gòu)與構(gòu)成光電二極管(D1)一極的由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的區(qū)域間呈環(huán)狀接觸,僅在引出光電二極管(D1)另外一極的引線的位置留有開口;所述遮光結(jié)構(gòu)在像素陣列內(nèi)部僅在每個(gè)所述環(huán)狀接觸內(nèi)部以及所述開口處具有孔洞。在本發(fā)明中,曝光開始及結(jié)束控制晶體管(M1、M2)的漏極分別連接到信號(hào)存儲(chǔ)電容(C1)的兩端,在使用0.5微米CMOS混合信號(hào)工藝實(shí)施本發(fā)明時(shí),其最短快門選通時(shí)間僅75皮秒,對(duì)405納米可見光的殘留感光低至八千萬分之一,具有超高速快門和低殘留感光的特性。
成果應(yīng)用案例介紹
測(cè)量實(shí)驗(yàn)>傳感器>半導(dǎo)體圖像傳感器