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本發(fā)明公開了一種通過改變溝道摻雜濃度來抑制pMOS器件NBTI退化的方法，包括(1)根據(jù)功函數(shù)差Vms獲得器件的平帶電壓VFB；并通過選擇不同功函數(shù)的金屬柵材料，獲得不同平帶電壓隨著摻雜濃度Nd的變化關系；(2)根據(jù)平帶電壓VFB獲得不同平帶電壓下器件閾值電壓Vth隨溝道摻雜濃度Nd的變化關系；(3)當器件閾值電壓為工作電壓的1/4?1/5時，獲得不同平帶電壓時器件的摻雜濃度Nd；(4)獲得不同平帶電壓、不同摻雜濃度且相同閾值電壓時器件NBTI退化程度；(5)判斷器件NBTI退化程度是否滿足實際需求，若是，則抑制了器件NBTI的退化；若否，則選擇不同功函數(shù)的金屬柵材料并返回至步驟(1)。本發(fā)明通過改變溝道摻雜濃度對器件NBTI退化進行了抑制，抑制效果顯著。

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