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本發(fā)明適用于MOS器件技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種MOS器件非均勻界面退化電荷的數(shù)值模擬方法及系統(tǒng)，對(duì)軟件底層進(jìn)行改動(dòng)，增加了計(jì)算非均勻界面電荷數(shù)Nit(x, t)的功能模型，從而能夠?qū)崿F(xiàn)非均勻界面電荷對(duì)器件性能的影響的數(shù)值模擬。所述的數(shù)值模擬方法還添加界面電荷退化模型接口，從而能夠?qū)Ω鞣N效應(yīng)引起非均勻界面電荷進(jìn)行數(shù)值模擬；所述的數(shù)值模擬方法還添加了一個(gè)器件參數(shù)提取接口，可以提取器件參數(shù)包括閾值電壓、輸出特性、跨導(dǎo)、電子和空穴濃度分布、電勢(shì)分布、電場(chǎng)分布等。針對(duì)NBTI的退化模型，可以揭示在HCI應(yīng)力下純偏置NBTI效應(yīng)獨(dú)特的變化規(guī)律，深入理解器件退化和壽命的關(guān)系，指導(dǎo)工藝設(shè)計(jì)，進(jìn)一步推動(dòng)集成電路可靠性研究的發(fā)展。

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